近日，我們?cè)?/span>接待一位半導(dǎo)體封裝行業(yè)的客戶時(shí)了解到他們要對(duì)芯片的粘貼強(qiáng)度進(jìn)行精準(zhǔn)評(píng)估，針對(duì)這個(gè)需求，本文科準(zhǔn)測(cè)控小編就和大家分享一下，如何使用BetaS100推拉力測(cè)試機(jī)進(jìn)行芯片推力測(cè)試，同時(shí)介紹測(cè)試參數(shù)的設(shè)置及具體操作步驟，為有需求的讀者在封裝工藝優(yōu)化、質(zhì)量管控和失效分析中提供高效精準(zhǔn)的依據(jù)。
圖片源自網(wǎng)絡(luò)
一、測(cè)試原理
芯片推力測(cè)試基于靜態(tài)剪切力學(xué)原理，模擬芯片在實(shí)際使用中可能受到的側(cè)向推力。將已完成固晶的芯片試樣固定于專用夾具中，通過推拉力測(cè)試機(jī)以恒定速率沿平行于基板方向?qū)π酒瑐?cè)面施加推力，直至芯片從基板上脫落或失效。
二、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
MIL-STD-883 微電子器件測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)
GJB 548B-2005 微電子器件試驗(yàn)方法和程序
IPC-TM-650 印制板組件測(cè)試方法
三、測(cè)試設(shè)備
BetaS100推拉力測(cè)試機(jī)
四、測(cè)試流程
步驟一：設(shè)備與試樣準(zhǔn)備
檢查推拉力測(cè)試機(jī)水平狀態(tài)及傳感器安裝情況
確認(rèn)傳感器在校準(zhǔn)有效期內(nèi)，選擇20.00kg量程
在顯微鏡下觀察芯片粘貼形貌，確認(rèn)無可見缺陷（空洞、裂紋等）
調(diào)整顯微鏡焦距，確保清晰觀察測(cè)試區(qū)域
步驟二：測(cè)試組參數(shù)設(shè)置
在推拉力測(cè)試機(jī)軟件中設(shè)置以下參數(shù)：
1. 測(cè)試組選擇：選擇 DIE SHEAR（芯片推力測(cè)試模式）
2. 傳感器設(shè)置：
范圍：20.00 kg
剪切高度：0.100 mm
降落速度：1.5 mm/s
測(cè)試速度：254 µm/s
3. 測(cè)試負(fù)載設(shè)置：
最大測(cè)試負(fù)載：10.000 kg（可根據(jù)芯片規(guī)格調(diào)整）
4. 測(cè)試結(jié)束檢測(cè)：
圖形初始閾值：0.200 %
手動(dòng)閾值：30 %
5. 最大剪切距離：
超程：0.010 mm
步驟三：試樣裝夾與對(duì)位
將固晶后的芯片試樣平穩(wěn)放置于專用夾具中，鎖緊固定
使用搖桿控制X、Y、Z軸，將推刀移動(dòng)至芯片側(cè)面待測(cè)位置
調(diào)整推刀位置，確保推刀與芯片側(cè)面接觸
確認(rèn)剪切高度為0.100mm，推刀不會(huì)刮擦基板
步驟四：執(zhí)行測(cè)試
點(diǎn)擊軟件中的“開始測(cè)試"按鈕
推刀以1.5mm/s速度下降至0.100mm剪切高度
推刀以254µm/s速度水平推進(jìn)，接觸芯片側(cè)面并持續(xù)施加推力
系統(tǒng)實(shí)時(shí)繪制力-位移曲線和力-時(shí)間曲線
當(dāng)芯片從基板上脫落或達(dá)到設(shè)定閾值時(shí)，系統(tǒng)自動(dòng)停止并記錄最大推力值
步驟五：數(shù)據(jù)與失效分析
測(cè)試結(jié)束后，系統(tǒng)自動(dòng)顯示最大推力值并保存測(cè)試數(shù)據(jù)
根據(jù)曲線形態(tài)和斷口形貌，觀察失效模式
整合推力數(shù)據(jù)、過程視頻、力-位移曲線，導(dǎo)出完整測(cè)試報(bào)告
以上就是科準(zhǔn)測(cè)控小編關(guān)于芯片推力測(cè)試的相關(guān)介紹了，希望對(duì)您有幫助。如您還有芯片推力測(cè)試、Die Shear檢測(cè)或推拉力測(cè)試機(jī)應(yīng)用等方面的疑問或需求，歡迎隨時(shí)通過私信或留言與我們聯(lián)系，科準(zhǔn)測(cè)控技術(shù)團(tuán)隊(duì)將為您提供專業(yè)的測(cè)試建議與定制化服務(wù)方案。
